물2 트랜지스터 질문

물2 준비하고 있는 현역학생입니다. 트랜지스터 공부 중에 도저히 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.

완자 물2 167쪽

수특 물2 120쪽 3번 문항

배기범 필수본 120쪽 예제 문항

위의 세 문항의 경우 공통적으로 전류증폭률이 동일하다는 것을 이용해 풀이합니다. 따라서 베이스전류 I_B를 구하는 과정이 필요합니다. 이 과정에서 풀이중 베이스에 저항이 연결되어 있음에도 전압강하를 고려하지 않고 베이스 전류를 구하고 있습니다. 그러나 다른 유형에서는 또 달랐습니다.

완자 물2 173쪽 3번 문항

수완 물2 65쪽 1번 문항

위의 두 문제에서는 앞의 3문제와는 달리 회로의 연결지점이 더 아래에 있고 컬렉터에도 저항이 연결되어 있다는 사실외에는 차이가 없는 것으로 보입니다. 그러나 위의 두문제는 컬렉터와 베이스에 연결된 저항으로 인한 전압강하를 고려해 문제를 풀어야합니다. 이 두 유형의 차이가 무엇일까요?

추가적으로 전류증폭률을 결정하는 인자가 무엇인가요? 검색해보면 도통전압과 포화전압을 통해 설명하는 듯한데 잘 이해가 가지 않습니다. Vcb와 Vbe사이의 대소관계도 증폭에 영향을 미치는 것인가요?

완자 물2 190쪽 9번 문항

 혹시 그렇다면 위 문제에서 pnp 트랜지스터가 되어선 안되는 이유를 설명하는 것과 바이어스전압 Vbe의 범위와 관련이 있나요?

-요약

1) 베이스, 컬렉터에 연결된 저항의 전압강하를 고려해야하는 경우와 아닌 경우의 구분

2) 전류증폭률을 결정하는 인자의 존재 (Vbe를 바꿈으로 전류증폭률이 변화할 수 있는지 궁금)

3) 스위칭작용과 증폭작용이 원활히 일어나게 하는 바이어스전압 Vbe의 범위의 존재

혼자 공부하려니 너무 힘이 들어 가끔 보기만 하던 오르비에 처음으로 글을 올려봅니다. 시간 되신다면 함께 고민해주시면 감사하겠습니다.